대한민국 - 메모리 패권
대표 기업 : 삼성전자, SK하이닉스 대표 기술 : 초미세 공정(GAA) - 생산 최적화, DRAM 10나노급 6세대 양산, 더블 스택 기반 고단수 V-NAND AI 메모리 특화, 적층 패키징 - HBM3E/HBM4, 세계 최고층 V-NAND
미국 - 설계 패권
대표 기업 : 엔비디아, 브로드컴, AMD, 퀄컴, 마이크론 대표 기술 : AI 컴퓨터 플랫폼 & 소프트웨어 - Rubin & NVLink 초고속 네트워킹 & 커스텀 IP - Tomahawk & ASIC 칩렛 설계 & 가성비 AI - 3D V-Cache / CDNA 온디바이스 AI & 모바일 SoC - Oryon CPU / NPU 파운드리 공정 - 18A / PowerVia
대만 - 파운드리 패권
대표 기업 : TSMC, 미디어텍 대표 기술 : 세계 최첨단 공정 & 패키징 기술력 - 2나노 양산, CoWoS, SoIC 고성능 모바일 AP 설계 - 올빅코어 설계, NPU 990
2티어 3개국 (특정 분야 세계급 국가)
일본 - 이미지 센서 세계급
대표 기업 : 소니, 키오시아, 르네사스, 로옴 대표 기술 : 이미지 센서(CIS) - Exmor T, On-sensor AI & 실시간 트래킹 낸드 플래시 원천 기술 - 10세대 BiCS NAND, CBA 적층 기술 차량용 MCU/SoC - 3나노 기반R-Car X5H SoC, 400 TOPS급 AI 비전 연산 성능 차세대 전력 반도체 - 4/5세대 SiC MOSFET, 800VDC 아키텍처 고효율 솔루션
독일 - 차량용/전력 반도체 세계급
대표 기업 : 인피니언, 보쉬 대표 기술 : 전력 변환 및 제어 - 300mm GaN 공정, AI용 수직 전력 공급 감지 & 통합 시스템 - 초소형 AI MEMS 센서, 바이-와이어 & VMM
네덜란드 - 장비 세계급
대표 기업 : ASML, NXP 대표 기술 : EUV 공급 - EUV, High-NA, 0.55 NA 광학계 차량용/보안 반도체 - V2X, UWB, NFC, 디지털 키
3티어 3개국 (자립 시도 중인 기술 보유국)
중국 - 파운드리, 설계, 메모리
대표 기업 : SMIC, 하이실리콘, YMTC, CXMT 대표 기술 : N+3 공정 (7~5나노) - EUV 장비 없이 DUV 멀티 패터닝으로 미세공정 구현 Ascend 950 AI 가속기 - 자국화 공정에 최적화된 고성능 SoC 설계 능력 Xtacking 4.0 - 낸드플래시 고단 적층, 하이브리드 본딩 특허 보유 HBM3 내재화 - 생산력 20%를 HBM3 라인으로 전환
프랑스/이탈리아 - 전력/자동차
대표 기업 : ST(프랑스-이탈리아 합작), 소이텍 대표 기술 : 18나노 FD-SOI & Smart Power - 18나노 FD-SOI 공정 상용화로 초저전력 MCU 구현 Smart Cut & SmartSiC - 원자 수준으로 웨이퍼를 박리/접합하는 소재 공정
